Samsung PC3L-12800S 4 GB DDR3L SO-DIMM RAM M471B5173QH0-YK0

Samsung PC3L-12800S 4 GB DDR3L SO-DIMM RAM M471B5173QH0-YK0

Použitý nízkonapěťový paměťový modul Samsung 4GB DDR3L SO-DIMM (1600 MHz, PC3L-12800S, CL11, 1,35V, M471B5173QH0-YK0). Spolehlivá operační paměť pro notebooky.

Operační paměť Samsung 4GB DDR3L 1600 MHz SO-DIMM (PC3L-12800S, CL11, 1.35V) – Nízkonapěťový RAM modul pro notebooky (M471B5173QH0-YK0)

Hledáte spolehlivý a úsporný paměťový modul pro rozšíření kapacity operační paměti nebo opravu modernějšího notebooku, kompaktního All-in-One počítače či mini PC? Značkový nízkonapěťový modul Samsung 4GB DDR3L SO-DIMM s přesným označením M471B5173QH0-YK0 představuje ideální servisní volbu pro zrychlení a obnovu plynulého chodu přenosných počítačů využívajících procesory Intel Core 4. až 5. generace (Haswell, Broadwell) i odpovídající platformy AMD.

Tento modul nabízí kapacitu 4 GB, pracuje na vysoké frekvenci 1600 MHz (standard PC3L-12800S) a disponuje časováním CL11. Díky sníženému pracovnímu napětí 1,35 V zajišťuje nižší spotřebu energie, menší vyzařování tepla a delší výdrž notebooku při práci na baterii.

Klíčové vlastnosti paměťového modulu Samsung 4GB DDR3L

• Kapacita 4 GB (4096 MB) pro plynulý chod operačního systému a aplikací.
• Vysoká frekvence 1600 MHz (PC3L-12800S) s časováním CL11.
• Kompaktní provedení SO-DIMM (204 pinů) určené pro notebooky.
• Nízkonapěťový provoz 1,35 V (DDR3L) s podporou 1,5V kompatibility.
• Provedení Non-ECC Unbuffered (1Rx8 - Single Rank).
• Prvotřídní kvalita a spolehlivost od světového lídra Samsung.

Ideální pro rozšíření paměti u novějších generací notebooků

Navyšovací modul s kapacitou 4 GB (případně dvojice pro zapojení 8 GB v režimu Dual-Channel) výrazně pomáhá plynulejšímu chodu operačních systémů Windows 10 a Windows 11, práci s více záložkami v internetovém prohlížeči i rychlému načítání aplikací. Zapojení dvou pamětí zároveň zvyšuje výkon integrovaného grafického čipu.

Kompatibilita a napětí

Modul je typu DDR3L (1,35 V), což zaručuje plnou kompatibilitu s procesory Intel Haswell, Broadwell a novějšími, které vyžadují výhradně nízkonapěťové paměti. Zpětně funguje i ve starších systémech vyžadujících standardní napětí 1,5 V.

Technické specifikace

Parametr Hodnota Výrobce / Part Number Samsung (M471B5173QH0-YK0) Typ paměti DDR3L SDRAM (Low Voltage) Kapacita 4 GB (4096 MB) Formát paměti SO-DIMM (204 pinů) Frekvence / Rychlost 1600 MHz (PC3L-12800S) Časování (Latency) CL11 (11-11-11) Pracovní napětí 1,35 V (Dual Voltage 1.35V / 1.5V) Kontrola chyb (ECC) Non-ECC (Unbuffered) Řazení čipů (Rank) 1Rx8 (Single Rank) Důležité upozornění ke kompatibilitě: Tento paměťový modul je typu **DDR3L** a podporuje nízkonapěťový provoz **1,35 V**. Je plně určen pro notebooky s procesory Intel Core 4. generace (Haswell) a novějšími, které striktně vyžadují 1,35V moduly. Díky duálnímu napájení je zpětně kompatibilní i se staršími notebooky podporujícími 1,5V DDR3 paměti. NENÍ určeno pro klasická desktopová PC.

Výrobce: Samsung
GPSR informace o výrobci: Samsung Electronics GmbH, Am Kronberger Hang 6, 65824 Schwalbach am Taunus, Německo
https://www.samsung.com/cz/support/contact/